霍爾效應測試系統HEMS

產品概要：

霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。

基本信息：

測量包括：

• 遷移率測試

• DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs

• AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs

• 載流子濃度測試

• 電阻率測試

• 電阻測量

• 低電阻范圍 1uohm to 1Mohm

• 寬電阻范圍 1uohm to 100Gohm

• 高電阻范圍 1ohm to 100Gohm

• 范德堡法測試范圍

• 霍爾巴法測試

技術優勢：

1、可更換極帽

2、軟件可終身升級

3、全自動軟件分析方便快捷

應用方向：

GaAS based materials (HEMSTs,pHEMTs,HBTs,FETs,MESFETs), lnP, InAs, GaN and AIN, Si, Ge, SiC, HgCdTd, ZnO, SiGe, MnGaAS, ZnO, 紅外應用(LED, laser diodes, detectors), 金屬氧化物, 有機材料, 無機材料, 鐵氧體等。

霍爾效應測試系統HEMS

霍爾效應測試系統HEMS

磁極帽:

• 可更換極帽

• 標準25mm

• 在0-130mm間距連續可調

• 更大極帽直徑可選,50mm,75mm

電磁鐵:

• ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface

• ±35V, ±70A電源

• 磁場>±IT@25mmpolegap

• 線圈電阻: 0.5 ? (20°C)

• 水冷

溫度選項:

• 低溫 3K-300K

• 高溫300K-1273K

納米磁學高斯計:

• 磁場掃描采用集成高斯計

• 磁場校準采用霍爾探頭

• 高靈敏度的磁場測量

• 所有參數可通過軟件控制

樣品架:

• 4,6 or8范德堡或霍爾巴測試設計

• 易于樣品安裝與彈簧連接

• 5mmx5mm樣品大小(提供更大選件)

• 多個樣品安裝

控制器和軟件:

• 使用我們軟件可逐層的進行遷移率分析

• 基于C# 的全自動軟件分析

• 非常寬的溫度測試范圍,3-1,300K

• 采用高斯計進行磁場的控制

• 非常容易的進行范德堡霍爾巴方法樣品測試

• 提供軟件終身升級

霍爾效應測試系統HEMS

霍爾效應測試系統HEMS